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MJ11016 Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 200W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Supplier Device Package TO-3
Packaging Tray
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJ1100FE-R52 Ohmite Durchsteckwiderstände 2706
MJ11012 MOT Spezialisierte ICs 2459
MJ11012G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2573
MJ11012G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ11013 MOT Spezialisierte ICs 1200
MJ11014 ON Spezialisierte heiße ICs 1322
MJ11015 MOT Spezialisierte heiße ICs 14640
MJ11015G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 567
MJ11015G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ11016 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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