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MJ14002G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 80V 60A TO3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 300W
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 50A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 12A, 60A
Supplier Device Package TO-3
Packaging Tray
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJ14001 MOT Spezialisierte heiße ICs 25
MJ14001G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2552
MJ14001G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ14002 ON Spezialisierte heiße ICs 1241
MJ14002 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MJ14002G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ14003MEX M Spezialisierte heiße ICs 1469
MJ1400FE-R52 Ohmite Durchsteckwiderstände 2555
MJ1401FE-R52 Ohmite Durchsteckwiderstände 2699
MJ1402FE-R52 Ohmite Durchsteckwiderstände 2786

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