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MJD210RLG Technische Spezifikationen

TRANS PNP 25V 5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.4W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Supplier Device Package DPAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 65MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD210 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2377
MJD210 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2221
MJD210-TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 60221
MJD210G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 573
MJD210G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210L UTC Spezialisierte heiße ICs 2781
MJD210L-TN3-R UTC Spezialisierte heiße ICs 1548
MJD210LT4G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MJD210RL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5956

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