MJD32CTF_NBDD002 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 100V 3A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.56W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount D-Pak
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
Base Part Number MJD32
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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