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MJD42C1G Technische Spezifikationen

TRANS PNP 100V 6A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Supplier Device Package I-Pak
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD42 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 18921
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MJD42C ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD42C MOS CJ Spezialisierte heiße ICs 4657
MJD42C-1 ON Spezialisierte heiße ICs 5500
MJD42C-1G ON Spezialisierte heiße ICs 15487
MJD42C/MJD41C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 966326
MJD42C1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2636
MJD42C1 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD42C1 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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