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MJE350STU Technische Spezifikationen

TRANS PNP 300V 0.5A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type PNP
Power - Max 20W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-126
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 20W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Base Part Number MJE350
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MJE350STU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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MJE3521G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 751

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