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MJF6668G Technische Spezifikationen
TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3000 @ 3A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MJF6668 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2685 |
MJF6668 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MJF6668G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MJF6668G | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren |
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MJF6668G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MJF6668G Referenzpreis. MJF6668G Parameter, MJF6668G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MJF6668G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MJF6668G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MJF6668G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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