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MMBTA14LT1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 125MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMBTA05 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 6387
MMBTA05 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 6334
MMBTA05 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MMBTA05 1H CJ Spezialisierte heiße ICs 162369
MMBTA05-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2623
MMBTA05-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 23296
MMBTA05-7-F/C1G DIODES Spezialisierte heiße ICs 15000
MMBTA05-RTK/P KEC Spezialisierte heiße ICs 41596
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MMBTA05-TP Micro Commercial Co Einzelne BJT-Transistoren

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