MMBTA20LT1 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 40V 0.1A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 125MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMBTA05 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 6387
MMBTA05 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 6334
MMBTA05 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MMBTA05 1H CJ Spezialisierte heiße ICs 162369
MMBTA05-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2623
MMBTA05-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 23296
MMBTA05-7-F/C1G DIODES Spezialisierte heiße ICs 15000
MMBTA05-RTK/P KEC Spezialisierte heiße ICs 41596
MMBTA05-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2730
MMBTA05-TP Micro Commercial Co Einzelne BJT-Transistoren

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