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MMUN2211LT3G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 246mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMUN2111 N/A Spezialisierte heiße ICs 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111RLT1 LRC Spezialisierte heiße ICs 3500
MMUN2111RLT1G ON Spezialisierte heiße ICs 4270

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