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MPS6561 Technische Spezifikationen

NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 600mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 35mA, 350mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 350mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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