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MPSA13ZL1 Technische Spezifikationen
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 125MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
MPSA13ZL1 Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MPSA10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 10365 |
MPSA10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2870 |
MPSA10-BEC | BEC | Spezialisierte heiße ICs | 4076 |
MPSA10_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2653 |
MPSA10_D74Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2503 |
MPSA12 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 3038 |
MPSA12 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 7935 |
MPSA12 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA12 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA12G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2699 |
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