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MPSA27 Technische Spezifikationen
TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'MPSA2'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MPSA20 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2410 |
MPSA20 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2955 |
MPSA20 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA20 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA20G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2785 |
MPSA20G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA20_D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2730 |
MPSA20_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2710 |
MPSA20_D27Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2611 |
MPSA20_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2654 |
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