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MPSA42RL1 Technische Spezifikationen
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 50MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'MPSA4'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MPSA42 | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2229 |
MPSA42 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2926 |
MPSA42 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2935 |
MPSA42 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MPSA42(T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 1850 |
MPSA42+126 | NXP | Spezialisierte heiße ICs | 524 |
MPSA42,116 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2722 |
MPSA42,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2732 |
MPSA42,412 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2590 |
MPSA42-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2610 |
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