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MTD6N20ET4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK-3
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MTD6N10 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 11319
MTD6N10E ON Spezialisierte heiße ICs 4900
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