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MUN2213JT1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 338mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN2211 LRC Spezialisierte heiße ICs 3300
MUN2211JT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2791
MUN2211JT1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2211JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3900
MUN2211JT1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2211JT1G Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2211RLT1 LRC Spezialisierte heiße ICs 9500
MUN2211T1 ON Spezialisierte heiße ICs 6360
MUN2211T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2211T1B AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 4524

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