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MUN5214T1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN5211 ZXDZ Spezialisierte heiße ICs 15500
MUN5211DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 1164
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5211DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2411
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5211T1 ON Spezialisierte heiße ICs 10800
MUN5211T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 115900
MUN5211T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5211T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9207

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