NCV8440ASTT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 35V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 1.69W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 59V
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