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NGTB20N120IHWG Technische Spezifikationen

IGBT 20A 1200V TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 480µJ (off)
Power - Max 341W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -/170ns
Supplier Device Package TO-247-3
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 150nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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NGTB20N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2799
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NGTB20N120IHLWG Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
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NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor Einzelne IGBTs
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