NRVBM110LT3G Technische Spezifikationen

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 415mV @ 2A
Supplier Device Package Powermite
Series POWERMITE®
Package / Case DO-216AA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 500µA @ 10V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 10V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 125°C
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 1A
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NRVBM110ET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2565
NRVBM110ET1G ON Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
NRVBM110LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2746
NRVBM110LT1G ON Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
NRVBM110LT3G ON Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
NRVBM120ET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2587
NRVBM120ET1G ON Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
NRVBM120ET3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2693
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