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NSCT2222ALT3G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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NSCT2222ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2509
NSCT2222ALT1G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
NSCT2222ALT3G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSCT2907ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1191082
NSCT2907ALT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSCT2907ALT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2688
NSCT2907ALT3G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
NSCT2907ALT3G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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