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NSS12501UW3T2G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type NPN
Power - Max 875mW
Package / Case 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 400mA, 4A
Supplier Device Package 3-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSS12501UW3T2G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSS12501UW3T2G Referenzpreis. NSS12501UW3T2G Parameter, NSS12501UW3T2G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSS12501UW3T2G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSS12501UW3T2G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSS12501UW3T2G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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