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NSS12601CF8T1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type NPN
Power - Max 830mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 400mA, 4A
Supplier Device Package ChipFET™
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSS12100UW3TCG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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NSS12100XV6T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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NSS12601CF8T1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSS12601CF8T1G Referenzpreis. NSS12601CF8T1G Parameter, NSS12601CF8T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSS12601CF8T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSS12601CF8T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSS12601CF8T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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