NSS1C200MZ4T1G Technische Spezifikationen

TRANS PNP 100V 2A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSS1C200LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 35338
NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200MZ4T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3445
NSS1C200MZ4T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 13092
NSS1C200MZ4T3G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200MZT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12974
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