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NSS20500UW3TBG Technische Spezifikationen

TRANS PNP 20V 5A 3WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type PNP
Power - Max 875mW
Package / Case 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 400mA, 4A
Supplier Device Package 3-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSS200-50 NAE IGBT-Module 2512
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NSS20101JT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS20101ST1G ON Spezialisierte heiße ICs 2663
NSS20200DMTTBG ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NSS20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 393587
NSS20200LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS20200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30306
NSS20200W6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2528
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NSS20500UW3TBG Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSS20500UW3TBG Referenzpreis. NSS20500UW3TBG Parameter, NSS20500UW3TBG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSS20500UW3TBG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSS20500UW3TBG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSS20500UW3TBG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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