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NSS60101DMTTBG Technische Spezifikationen

TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 2.27W
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSS60100DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 1408
NSS60100DMTTBG ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NSS60101DMTTBG ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NSS60200DMTTBG ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NSS60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 23016
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