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NST3904DP6T5G Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 350mW
Package / Case SOT-963
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-963
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NST3904DP6T5G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NST3904DXV6T1 ON Spezialisierte heiße ICs 5290
NST3904DXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NST3904DXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 5392
NST3904DXV6T1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NST3904DXV6T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3702
NST3904DXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 7000
NST3904DXV6T5 ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NST3904DXV6T5 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren
NST3904DXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 38270

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NST3904DP6T5G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NST3904DP6T5G Referenzpreis. NST3904DP6T5G Parameter, NST3904DP6T5G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NST3904DP6T5G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NST3904DP6T5G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NST3904DP6T5G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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