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NST65010MW6T1G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 380mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SC-88 (SOT-363)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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NST65010MW6T1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NST65011MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2760
NST65011MW6T1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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