NSV40200UW6T1G Technische Spezifikationen

TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 875mW
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 20mA, 2A
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSV40200UW6T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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