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NSVBAT54M3T5G Technische Spezifikationen
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Package / Case | SOT-723 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'NSVBA'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBAS116LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2713 |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Einphasen-Diodengleichrichter | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2569 |
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