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NSVBCP56-10T3G Technische Spezifikationen
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 130MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBC114YPDXV65G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2692 |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2747 |
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