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NSVF6003SB6T1G Technische Spezifikationen
RF TRANSISTOR
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | 6-CPH |
Power - Max | 800mW |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 4 Weeks |
Gain | 9dB |
Detailed Description | RF Transistor NPN 12V 150mA 7GHz 800mW Surface Mount 6-CPH |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | NSVF6003SB6T1GOSTR |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequency - Transition | 7GHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVF6003SB6T1G | ON Semiconductor | RF-BJT-Transistoren |
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