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NSVMMBT5087LT1G Technische Spezifikationen
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 225mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 40MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Arrays | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Gleichrichter-Dioden-Array | |
NSVMMBD353LT1 | ON | Spezialisierte heiße ICs | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Arrays | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Gleichrichter-Dioden-Array | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - HF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | RF-Dioden | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Arrays | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Gleichrichter-Dioden-Array | |
NSVMMBT2222AM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2683 |
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