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NTB082N65S3F Technische Spezifikationen

SUPERFET3 650V D2PAK PKG

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® III
Power Dissipation (Max) 313W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names NTB082N65S3FOSCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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