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NTB18N06LT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 48.4W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 7.5A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTB18N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2507
NTB18N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
NTB18N06G Rochester Electronics, LLC NTB18N06G
NTB18N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 7522
NTB18N06LG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11019
NTB18N06LG MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30291
NTB18N06LT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 52997
NTB18N06LT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 635
NTB18N06T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2768
NTB18N06T4 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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