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NTB30N06T4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 88.2W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTB30N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 17403
NTB30N06G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5343
NTB30N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23056
NTB30N06LG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1086
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NTB30N06T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37388
NTB30N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18874
NTB30N20G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 536
NTB30N20T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 20000

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NTB30N06T4G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTB30N06T4G Referenzpreis. NTB30N06T4G Parameter, NTB30N06T4G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTB30N06T4G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTB30N06T4G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTB30N06T4G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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