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NTB60N06L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 30A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3075pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTB60N06 ON Spezialisierte heiße ICs 2331
NTB60N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10471
NTB60N06LG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33403
NTB60N06LT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
NTB60N06LT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18867
NTB60N06T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6327
NTB60N06T4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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