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NTB65N02R Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTB65N02RG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 352
NTB65N02RT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 670
NTB65N02RT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2432
NTB65N02RT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1696

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