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NTD4809NT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 11.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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