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NTD4810N-1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 54A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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