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NTD4909NAT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 41A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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NTD4904N ON Spezialisierte heiße ICs 23079
NTD4904N MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 23387
NTD4904N-1G O Spezialisierte heiße ICs 3283
NTD4904N-35G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2274
NTD4904N-35G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTD4904N-35G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 525
NTD4904NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1013
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