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NTD60N02RT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTD60N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 70
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NTD60N02LT4 ON Spezialisierte heiße ICs 2792
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NTD60N02R MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 753
NTD60N02R-001 ONS Spezialisierte heiße ICs 691
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