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NTD78N03T4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 78A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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NTD78N03-035 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
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NTD78N03-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
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