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NTDV20P06LT4G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 7.5A, 5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names NTDV20P06LT4G-VF01OSCT NTDV20P06LT4G-VF01OSCT-ND NTDV20P06LT4GOSCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 5 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 15.5A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount DPAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.5A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTDV20N06LT4G VB Spezialisierte heiße ICs 5000
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NTDV20N06T4G O Spezialisierte heiße ICs 10000
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NTDV20P06LT4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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