NTF3055L175T3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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