NTHD5902T1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package ChipFET™
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTHD5902 O Spezialisierte heiße ICs 10000
NTHD5902T1 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5902T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30440
NTHD5903 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 48
NTHD5903T1 ON Spezialisierte heiße ICs 96000
NTHD5903T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7800
NTHD5903T1G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5903T1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5904N O Spezialisierte heiße ICs 3000
NTHD5904NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3343

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