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NTJS3151PT2G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 100µA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 12V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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