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NTJS4160NT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.75nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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