NTLGF3501NT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 6-DFN (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
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NTLGF3402PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2756
NTLGF3402PT1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTLGF3402PT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2417
NTLGF3402PT2G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTLGF3501NT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2797

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