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NTLJS3113PT1G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series µCool™
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1329pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
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NTLJS3113PT1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTLJS3113PT1G Referenzpreis. NTLJS3113PT1G Parameter, NTLJS3113PT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTLJS3113PT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTLJS3113PT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTLJS3113PT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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